QT84HCD11M-45.000MHz/6G微处理器时钟晶振/欧美Q-Tech有源晶振，尺寸7.0×5.0mm，频率45MHZ，欧美晶振，四脚贴片晶振，进口晶体振荡器，有源晶体振荡器，石英有源振荡器，石英晶体振荡器，7050mm有源晶振，时钟振荡器，SMD振荡器，OSC贴片振荡器，低功耗有源晶振，低耗能有源晶振，低电压有源晶振，高质量有源晶振，旨在满足当今对低电压应用，高冲击应用，枪射弹药和系统，智能弹药，仪器，导航，航空电子，微处理器时钟等应用程序。

Q-Tech的表面安装5 X 7毫米石英晶体振荡器系列包括IC的5Vdc、3.3Vdc、2.5Vdc、1.8Vdc时钟方波发电机和内置在带有镀金接触垫的低剖面陶瓷封装。这是Q-Tech有史以来提供的最小的包装高可靠性应用。QT84HCD11M-45.000MHz/6G微处理器时钟晶振/欧美Q-Tech有源晶振.

QT84HCD11M-45.000MHz/6G微处理器时钟晶振/欧美Q-Tech有源晶振，尺寸7.0×5.0mm，频率45MHZ，欧美晶振，四脚贴片晶振，进口晶体振荡器，有源晶体振荡器，石英有源振荡器，石英晶体振荡器，7050mm有源晶振，时钟振荡器，SMD振荡器，OSC贴片振荡器，低功耗有源晶振，低耗能有源晶振，低电压有源晶振，高质量有源晶振，旨在满足当今对低电压应用，高冲击应用，枪射弹药和系统，智能弹药，仪器，导航，航空电子，微处理器时钟等应用程序。

Q-Tech的表面安装5 X 7毫米石英晶体振荡器系列包括IC的5Vdc、3.3Vdc、2.5Vdc、1.8Vdc时钟方波发电机和内置在带有镀金接触垫的低剖面陶瓷封装。这是Q-Tech有史以来提供的最小的包装高可靠性应用。QT84HCD11M-45.000MHz/6G微处理器时钟晶振/欧美Q-Tech有源晶振.

QT84HCD11M-45.000MHz/6G微处理器时钟晶振/欧美Q-Tech有源晶振 参数表

Parameters

HC

L

N

R

Output frequency range (Fo)

45.000MHz

500kHz — 160.000MHz

500kHz — 133.000MHz

500kHz — 100.000MHz

Supply voltage (Vdd)

5.0Vdc ± 10%

3.3Vdc ± 10%

2.5Vdc ± 10%

1.8Vdc ± 10%

Maximum Applied Voltage (Vdd max.)

7.0Vdc

5.0Vdc

Frequency stability (?F/?T)

See Option codes

Operating temperature (Topr)

See Option codes

Storage temperature (Tsto)

-62ºC to + 125ºC

Operating supply current (Idd) (No Load)

20 mA max. - 500kHz ~ < 16MHz 25 mA max. - 16MHz ~ < 32MHz 35 mA max. - 32MHz ~ < 50MHz

6 mA max. - 500kHz~< 16MHz 10 mA max. - 16MHz~< 32MHz 20 mA max. - 32MHz~< 60MHz 30 mA max. - 60MHz~< 100MHz 40 mA max. - 100MHz ~< 130MHz 50 mA max. - 130MHz ~≤160MHz

6 mA max. - 500kHz~ < 40MHz 15 mA max. - 40MHz~ < 60MHz 25 mA max. - 60MHz~ < 85MHz 35 mA max. - 85MHz~ ≤ 133MHz

4 mA max. - 500kHz~ <40MHz 10 mA max. - 40MHz~ <50MHz 20 mA max. - 50MHz~ <85MHz 25 mA max. - 85MHz~≤ 100MHz

Symmetry (50% of ouput waveform or 1.4Vdc for TTL)

45/55% max. - 500kHz~ < 21MHz 40/60% max. - 21~≤ 50MHz

45/55% max. - 500kHz ~ < 21MHz 40/60% max. - 21~ ≤ 160MHz

45/55% max. - 500kHz ~ < 21MHz 40/60% max. - 21 ~ ≤ 133MHz

45/55% max. - 500kHz~ < 21MHz 40/60% max. - 21 ~ ≤ 100MHz

Rise and Fall times (with typical load)

6ns max. - Fo < 40MHz 3ns max.- Fo≥ 40 - 50MHz (between 10% to 90%)

6ns max. - 500kHz ~ < 40MHz 3ns max. - 40 ~ ≤ 160MHz (between 10% to 90%)

5ns max. - 500kHz ~ < 40MHz 3ns max. - 40 ~ ≤ 133MHz (between 10% to 90%)

5ns max. - 500kHz ~ < 40MHz 3ns max. - 40 ~ ≤ 100MHz (between 10% to 90%)

Output Load

15pF // 10kohms 50pF max. or 10TTL

15pF // 10kohms (30pF max. for F ≤ 50MHz)

15pF // 10kohms

Start-up time (Tstup)

10ms max.

Output voltage (Voh/Vol)

0.9 x Vdd min.; 0.1 x Vdd max.

0.9 x Vdd min.; 0.1 x Vdd max.

Output Current (Ioh/Iol)

± 24mA max.

± 4mA max.

Enable/Disable Tristate function Pin 1

VIH ≥ 2.2V Oscillation; VIL ≤ 0.8V High Impedance

VIH ≥ 0.7 x Vdd Oscillation; VIL ≤ 0.3 x Vdd High Impedance

Jitter RMS 1σ (at 25ºC)

See Page 5

QT84HCD11M-45.000MHz/6G微处理器时钟晶振/欧美Q-Tech有源晶振 尺寸图

QT84HCD11M-45.000MHz/6G微处理器时钟晶振/欧美Q-Tech有源晶振

有源晶振产品特点：

ECCN:EAR99

频率范围从500kHz到160MHz

占地面积小

LVHCMOS、HCMOS和TTL兼容

5.0Vdc、3.3Vdc、2.5Vdc、1.8Vdc电源

能够满足36000G冲击，半正弦，0.5ms

工作温度范围广

三态输出（选项D）

密封陶瓷包装

基础和第三序曲设计

可进行全部或部分军事筛查测试

磁带和卷轴包装

提供无铅镀锡

符合RoHS