IDT晶振,贴片晶振,XLH晶振,XLH536025.000000I晶振,电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度:最高0.8 mm,体积:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC(频率控制)功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.
相位噪声和抖动是对同一种现象的两种不同的定量方式,是对短期稳定度的真实度量。贴片晶振以及其它利用基波或谐波方式的晶体振荡器具有最好的相位噪声性能。采用锁相环合成器产生输出频率的石英晶体振荡器比采用非锁相环技术的振荡器一般呈现较差的相位噪声性能。。
项目 |
符号 |
XLH晶振规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
0.75~250MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
1.60 V to 3.63V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -20℃to +70℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.jyyshkj.com |
H: -40℃to +85℃ |
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J: -40℃to +105℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25℃,初年度,第一年 |
将电源连接到有源晶振指定的终端,确定正确的极性这目录所示。注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振,假如损坏那将不会工作。此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏。所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精度。
负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如:失真的输出波形。特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗。输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,石英晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器。当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略。IDT晶振环保方针:
IDT 晶振环境影响的最小化:遵照社会的期望,改进我们的环境行为,我们将通过有效利用森林、能源以及其它资源,减少各种形式的废物来实现这一承诺,环境管理体系:在每一个运行部门,实施支持方针的系统的环境管理工具.我们将确保适当的人力资源和充分的财力保障.每年我们都将建立可测量的环境管理以及行为改进的目标和指标.环境行为评价:评价我们运行以及员工的环境行为表现,确认支撑着本方针的成绩.我们将向我们的员工提供信息,以及能够将方针与各自工作职责完全结合的培训.
DT 晶振集团采用系统的方法来解决其产品的环境影响,开发和销售拥有最有利的环境特性同时又满足最高可能功效标准的石英晶振,贴片晶振,采用对环境尽可能健康的生产工艺晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器开发和制造过程中使用对环境健康的、可回收利用的材料。IDT晶振,贴片晶振,XLH晶振,XLH536025.000000I晶振.