微型陶瓷封装的晶体谐振器FL2600176,可快速满足无线局域网的需求,ECERA品牌，百利通亚陶公司是一家全球化的知名企业,主要向世界各地提供石英晶体谐振器,有源晶振,温补晶振等产品,研发出来的新型产品型获得广大用户的认可,并与百利通亚陶公司建立深度的合作关系,同时亚陶的好口碑一次次在每一位潜在用户面前流传开,吸引更多人与Diodes合作。

FL1350008	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	13.5MHz	±20ppm
FL3740015	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	37.4MHz	±15ppm
FL3740015	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	37.4MHz	±15ppm
FL3740015	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	37.4MHz	±15ppm
FL1920031	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	19.2MHz	±10ppm
FL1920031	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	19.2MHz	±10ppm
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FL2400041	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
FL2400041	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
FL2400041	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
FL2400072	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
FL2400072	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
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FL1600087	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL1600087	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
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FL1000002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	10MHz	±25ppm
FL1000002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	10MHz	±25ppm
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FL2600176	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	26MHz	±40ppm
FL2600176	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	26MHz	±40ppm
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FL1600044	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm

Diodes公司（纳斯达克股票代码：DIOD）推出了DGD0579U高侧和低侧栅极驱动器。该高频器件具有内置自举二极管，能够以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，这些器件通常用于电机控制和 DC-DC 电力传输功能。它针对高功率应用，如无绳电动工具、电动自行车和自主机器人设备，这些应用对提高效率水平和更紧凑的要求越来越高。

DGD0579U 的 100V 浮动高边驱动器为要求苛刻的大功率应用提供了更大的灵活性。较短的传播延迟（通常为 60ns）和延迟匹配（在 10ns 内）可实现更高的开关速度并减少死区时间，从而实现更小、更高效的电源系统。微型陶瓷封装的晶体谐振器FL2600176,可快速满足无线局域网的需求,ECERA品牌

FL1600044	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL1600044	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL3840006	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	38.4MHz	±10ppm
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FL3000027	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	30MHz	±10ppm
FL3000027	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	30MHz	±10ppm
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FL3200022	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	32MHz	±10ppm
FL3200022	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	32MHz	±10ppm
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FL1200135	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	12MHz	±50ppm
FL1200135	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	12MHz	±50ppm
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FL1200060	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	12MHz	±30ppm
FL1200060	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	12MHz	±30ppm
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FL1840007	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	18.432MHz	±20ppm
FL1840007	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	18.432MHz	±20ppm
FL1840007	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	18.432MHz	±20ppm
FL1600043	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±10ppm
FL1600043	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±10ppm
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FL2000038	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	20MHz	±10ppm
FL2000038	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	20MHz	±10ppm

在亚陶公司高品质晶振已经占据主导产品线,与先进的 MOSFET 相比,形成不一样的对比,而先进的 MOSFET保护机制直接集成到器件中，与传统的分立解决方案相比，提高了系统可靠性，优化了电路板空间使用，并进一步减少了组件数量。这些机制包括防止交叉传导，以便高侧和低侧 MOSFET 不会同时导通，以及用于解决潜在电源损耗的欠压锁定 (UVLO)。

FL2000038	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	20MHz	±10ppm
FL2500047	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	25MHz	±20ppm
FL2500047	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	25MHz	±20ppm
FL2500047	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	25MHz	±20ppm
FL1600080	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±10ppm
FL1600080	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±10ppm
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FL3740009	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	37.4MHz	±15ppm
FL3740009	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	37.4MHz	±15ppm
FL3740009	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	37.4MHz	±15ppm
FL1200138	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	12MHz	±50ppm
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FL2500213Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	25MHz	±20ppm
FL2500213Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	25MHz	±20ppm
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FQ2500016	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FQ	MHz Crystal	25MHz	±20ppm
FQ2500016	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FQ	MHz Crystal	25MHz	±20ppm
FQ2500016	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FQ	MHz Crystal	25MHz	±20ppm
FQ1200007	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FQ	MHz Crystal	12MHz	±30ppm
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FL2500316Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	25MHz	±20ppm
FL2500316Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	25MHz	±20ppm

百利通亚陶晶振的DGD0579U 具有用于电源管理的使能引脚和超低 (<1μA) 待机电流，有助于延长电池运行时间。DGD0579U 与来自微控制器和 PWM 控制器 IC 的控制信号兼容，支持 TTL 和 CMOS 逻辑电平输入（低至 3.3V）。

DGD0579U栅极驱动器采用紧凑型 W-DFN3030-10 封装，占位面积为 3mm x 3mm，轮廓高度为 0.75mm。