Siward希华晶振产品简介

Siward希华晶振产品简介
希华晶振提供各種不同石英晶體元件，具有各種尺寸、廣泛的頻率範圍且高精度的頻率振盪和低ESR。產品包含非主動式元件的Crystal (晶體)、Thermistor (內置熱敏型晶體)、Tuning Fork (音叉型晶體)，及主動元件的振盪器，包含XO (石英晶体振荡器)、VCXO (電壓控制石英晶體振盪器)、TCXO/VCTCXO (溫度補償/電壓控制溫度補償石英晶体振荡器)。產品主要應用於高階通信、消費性電子、物聯網、汽車、工業產業。

Crystal

晶體諧振器是利用石英晶片鍍上膜層之後產生壓電效應的一種被動元器件。再將石英晶體加上電壓的話，石英水晶會發生形變 (壓電效應)，從而振動產生接近其固有振動數的穩定且高精度的頻率。

Oscillator

XO (石英晶體振盪器) 是將晶體諧振器與發振電路集成化，產品無溫度補償功能、也無溫度控制的最簡單的晶體振盪器。其中產品系列別更是有XO、TCXO (溫度補償石英晶體振盪器)温补晶振、VCXO (電壓控制石英晶體振盪器)，依據客戶使用的模組與系統而有不同的產品可以選用，目前運用於5G網域基礎架設、資料中心、伺服器、車用、航太衛星。

低抖动振荡器

希華先進的低抖動振盪器具有出色的穩定性和準確性，專門設計用於要求嚴格的時序和精確同步的應用，可確保高速通訊的精度，提高數據準確性並減少相位抖動，應用於要求嚴苛的領域，如5G網路基礎設施、伺服器、邊緣運算、資料中心、乙太網路、光學模組和物聯網 (IoT)。此系列產品支援業界標準封裝 3.2x2.5mm、2.5x2.0mm、2.0x1.6mm贴片晶振，通過 IC 優良的設計和優化，實現極低的相位抖動來保證客戶應用需求。提供多種輸出邏輯，包括 CMOS、LVPECL、LVDS 和 HCSL，在12kHz至20MHz 範圍內提供低至 60 fs (156.25MHz) 的超低抖動效能，並在 -40°C 至 +85°C 溫度範圍內保持 ±50 ppm 的整體穩定性。

低相位噪声振荡器

隨著市場對更大的頻寬和更快資料傳輸速度的需求不斷增加，希華的低相位雜訊振盪器專為穩定性、精度和低相位雜訊而設計，可作為 5G 電信、超大規模資料中心、邊緣運算伺服器和光網路等高要求應用的理想參考時脈來源。我們的低相位雜訊振盪器系列在 100kHz 時具有 -168dBc/Hz的本底噪聲，並支援CMOS輸出格式，採用業界標準的封裝尺寸，分別為2.0x1.6mm和1.6x1.2mm。除了訊號品質之外，我們也優先考慮電源效率和系統穩定性，從而提高系統的靈敏度和準確性。

TCXO

TCXO是一種通過內置具有與晶體諧振器溫度特性正相反的特性電路 (即溫度補償電路)，包含VCTCXO (電壓控制溫度補償石英晶體振盪器)，來獲得可覆蓋寬溫溫度範圍的溫度特性的高精度晶體振盪器。目前運用於GNSS/GPS、5G基地台、航太、ADAS。

低相位噪声TCXO

希華的低相位雜訊TCXO，專為最佳頻率和溫度穩定性而設計，在低相位雜訊、頻率穩定性和溫度特性方面表現出色，適合 Wi-Fi、GPS、GNSS、物聯網、5G 電信和連網消費設備。我們的TCXO系列在 100kHz 時的本底雜訊為 -165dBc/Hz，並支援各種輸出格式，包括CMOS和Clipped-sine，採用業界標準微型尺寸2.0x1.6mm和1.6x1.2mm石英晶振，頻率範圍為26MHz至80MHz。此系列TCXO產品在工作溫度範圍 -40°C 至 +85°C，頻率穩定性可達 ±0.5ppm，為高精度時脈應用的理想元件。

VCTCXO

TCXO是一種通過內置具有與晶體諧振器溫度特性正相反的特性電路 (即溫度補償電路)，包含VCTCXO (压控温补晶体振荡器)，來獲得可覆蓋寬溫溫度範圍的溫度特性的高精度晶體振盪器。目前運用於GNSS/GPS、5G基地台、航太、ADAS。

VCXO

VCXO (壓控晶體振盪器) 是一種晶體振盪器，压控振荡器，其頻率由晶體決定，但可以借助施加到輸入端的外部控制電壓進行調節或調諧。產品用途於5G網域基礎架設, 基地台。

RF Bonded Wafer

Siward设计的多层压电晶片，用于移动电话和其他高速通信所需的射频滤波器组件。多层晶片的每个衬底被设计成使得滤波器设计具有高频率、宽BW、低插入损耗、高Q因子和TCF(频率的温度系数),特别是对于5G (NR频带)性能，以减轻滤波器设计的负担。

32.768KHz

希華提供一系列32.768k音叉型晶體，採用最先進光刻製程技術，來實現卓越的穩定性和信賴性。音叉型晶體具備低功耗特性0.1µW 及微型設計，最小尺寸至1.6x1.0mm，適合應用在穿戴式裝置、物聯網裝置、無線通訊、消費性電子產品、筆記型電腦、智慧電錶、安全系統和個人醫療設備。32.768kHz音叉型晶體系列包括 XTL72 (3.2x1.5mm)、微型 XTL74 (2.0x1.2mm) 和超微型 XTL75 (1.6x1.0mm)，支援 ±20ppm 的標準頻率容差，並提供多種負載電容選項，包括 12.5pF、9pF、7pF 等，一般工作溫度範圍為 -40°C 至 85°C， AEC-Q200 標準的汽車和工業應用可擴展至 -40°C 至 125°C。

Image

Series

Package Size
(mm)

Nominal Frequency

Frequency Stability

Temperature Range

Datasheet

XTL92

1.0 x 0.8 x 0.3

37.4 - 80MHz

±20ppm

XTL91

1.2 x 1.0 x 0.3

24 - 80MHz

±15ppm

XTL90

1.6 x 1.2 x 0.35

24 - 80MHz

±15ppm
±30ppm

XTL90

1.6 x 1.2 x 0.35

24 - 60MHz

±15ppm
±30ppm

XTL50

2.0 x 1.6 x 0.55

16 - 80MHz

±15ppm
±30ppm

XTL50

2.0 x 1.6 x 0.55

16 - 60MHz

±15ppm
±50ppm

XTL58

2.5 x 2.0 × 0.6

12 - 66MHz

±15ppm
±30ppm

XTL58

2.5 x 2.0 × 0.6

12 - 54MHz

±15ppm
±50ppm

XTL57

3.2 x 2.5 × 0.8

8 - 54MHz

±15ppm
±30ppm

XTL57

3.2 x 2.5 × 0.8

8 - 54MHz

±15ppm
±50ppm

编码	品牌	描述	系列	时钟晶振
XTL721-Q23-048	Siward希华	CRYSTAL 32.768KHz 20PPM CRYSTAL	XTL72	32.768kHz
XTL721-S349-005	Siward希华	CRYSTAL 32.768KHz 20PPM CRYSTAL	XTL72	32.768kHz
XTL721-S999-301	Siward希华	CRYSTAL 32.768KHz 20PPM CRYSTAL	XTL72	32.768kHz
XTL721-S999-429	Siward希华	CRYSTAL 32.768KHz 20PPM CRYSTAL	XTL72	32.768kHz
XTL741-S999-319	Siward希华	CRYSTAL 32.768KHz 20PPM CRYSTAL	XTL74	32.768kHz
XTL741-U11-402	Siward希华	CRYSTAL 32.768KHz 20PPM CRYSTAL	XTL74	32.768kHz
XTL741-S999-298	Siward希华	CRYSTAL 32.768KHz 20PPM CRYSTAL	XTL74	32.768kHz
XTL741-S999-379	Siward希华	CRYSTAL 32.768KHz 20PPM CRYSTAL	XTL74	32.768kHz
XTL741-S999-327	Siward希华	CRYSTAL 32.768KHz 20PPM CRYSTAL	XTL74	32.768kHz
XTL721-S999-286	Siward希华	CRYSTAL 32.768KHz 20PPM CRYSTAL	XTL72	32.768kHz
XTL751-S999-544	Siward希华	CRYSTAL 32.768KHz 20PPM CRYSTAL	XTL75	32.768kHz
XTL751-S999-548	Siward希华	CRYSTAL 32.768KHz 20PPM CRYSTAL	XTL75	32.768kHz
XTL751-S999-420	Siward希华	CRYSTAL 32.768KHz 20PPM CRYSTAL	XTL75	32.768kHz