Raltron晶振,贴片晶振,CMC208晶振,此款SMD晶体并且可以承受回流焊接的高温,波峰焊接,回流焊接等,贴片表晶主要特点是该产品排带包装,焊接模式主要使用SMT焊接,给现代SMT工艺带来高速的工作效率,32.768K系列产品本身具有体积小,厚度薄,重量轻等特点.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。贴片晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。
项目 |
符号 |
CMC208晶振规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
32.768KHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
1.50 V to 3.63 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -20℃ to +70℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.jyyshkj.com/ |
H: -40℃to +85℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25℃,初年度,第一年 |
所有产品的共同点
1:抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。
2:辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。
3:化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4:粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
5:卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6:静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。Raltron晶振环保方针:
Raltron晶振公司不断改进设计,优化工艺,调整工厂布局,采取相应措施,减少各种污染环境的因素,尽可能地节省资源和能源,积极保护厂区和周围地区的环境,在本公司产品的生产与经营过程中充分考虑对环境的影响,为人类的健康生存和持续发展作出贡献.深入贯彻落实科学发展观,牢固树立安全发展理念,强化责任,狠抓落实,加强防范,坚决遏制重特大事故发生.
Raltron晶振按照IS014001标准的要求,建立环境管理体系,并在环境目标和方案设定之后追求持续的环境改善. 建立和遵守其严格的基于活动所在地法律法规的环境、安全和健康标准.将不断地扩展循环利用、能源和废弃物管理项目.Raltron晶振,贴片晶振,CMC208晶振.