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DIODES晶振,贴片晶振,FH晶振

DIODES晶振,贴片晶振,FH晶振DIODES晶振,贴片晶振,FH晶振

产品简介

2520mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点.

产品详情

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DIODES晶振,贴片晶振,FH晶振,贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。

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Diodes晶振规格

单位

FH晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

16~66MHz

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C ~ +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C ~ +85°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW~100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6(标准),
(±15 × 10-6~±50 × 10-6可用)

+25°C对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,http://www.jyyshkj.com/

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C~+70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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FH







41:抗冲击

抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。
2:辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。
3:化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4:粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
5:卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6:静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。DIODES晶振,贴片晶振,FH晶振


5百利通晶振环保方针:


有效利用资源和能源,认识到资源和能源的有限性,努力进行压电石英晶体、有源晶振,压控振荡器原材料的有效利用.为构建循环型社会做出贡献,致力于减少废弃物及废弃物的再利用核再生循环,努力构建循环型社会.推进有源晶振,压控振荡器环保型业务,充分发挥综合实力,推进环保型业务,为减轻社会的环境负荷做出贡献.“制造、使用、有效利用、再利用”这样一个产品生命周期中,努力创造丰富的晶振,石英晶振,压电石英晶体元器件价值,给社会带来温馨和安宁,感动和惊喜,同时为减少环境影响,努力做好“防止地球变暖、有效利用资源、对化学物质进行管理”,实现与地球的和谐相处.

戴奥德斯晶振公司的目标是保证压电石英晶体元器件继续满足客户要求的同时对环境的影响降到最小,承诺保护环境,重视员工、客户和公众的健康和安全.我们从事任何活动,都要以注重安全和环保方式,并考虑到生态系统的复杂性和相关性.我们承诺采取积极的、预防性的战略管理来对自然环境和地方社区的影响最小化.

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