FN晶振,5070进口晶振,贴片晶振

DIODES晶振,贴片晶振,FN晶振,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性.

贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边，主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动了不稳定。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	1.544~156.25MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.jyyshkj.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CCMax.	ST终端
输入电压	V_IL	20 % V_CCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

电处理：将电源连接到有源晶振指定的终端，确定正确的极性这目录所示。注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振，假如损坏那将不会工作。此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值，就很可能会导致石英晶振产品损坏。所以外接电压很重要，一定要确保使用正确的额定电压的振荡，但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振，或者起不到最佳精度。

负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时，指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形。特别是设置电抗，根据规范的负载阻抗。输出频率和输出电平，当测量输出频率或输出水平，晶体振荡器调整的输入阻抗，测量仪器的负载阻抗晶体振荡器。当输入阻抗的测量仪器，不同的负载阻抗的晶体振荡器，测量输出频率或输出水平高，阻抗阻抗测量可以忽略。

百利通晶振环保方针：

戴奥德斯晶振建立目标指标、监测程序,利用最好的管理手段,应用节约成本的技术,持续改进我们的环境表现.我们承诺采取积极的、预防性的战略管理来对自然环境和地方社区的影响最小化.实施节约战略,提高建设节约环保型企业能力,确保实现节能环保规划目标.

规划到制造、运行维修等整个过程中,努力提供环保型的产品和服务.在业务活动中,努力节约资源并节省能源,致力于减少废弃物和再生资源的回收利用.努力提高环境性能,不断改善运用系统.DIODES戴奥德斯晶振集团作为“地球内企业”,在保护地球环境方面发挥着领导作用.我们尊重历史、文化和传统的多样性,并致力于“CSR经营”和“环境经营”.为取得社会的信任,为推动环境负荷最小化,集团还开展了各种各样的活动.DIODES晶振,贴片晶振,FN晶振.