HSO323SJ晶振,加高石英晶体振荡器,台产进口六脚晶振

加高晶振,贴片晶振,HSO323SJ晶振,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点.

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。贴片晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强，贴片晶振频率更加集中，能控制在最小ppm之内。

型号	符号	HSO323SJ
输出规格	-	LVDS
输出频率范围	fo	25~212.5MHz
电源电压	VCC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
频率公差（含常温偏差）	f_tol	±50×10-6max., ±100×10-6max.
保存温度范围	T_stg	-40?+85℃
运行温度范围	T_use	-10?+70℃
消耗电流	ICC	20mA max.
待机时电流（＃1引脚"L"）	I_std	10μA max.
输出负载	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形对称	SYM	45?55% [at outputs cross point]
0电平电压	VOL	-
1电平电压	VOH	-
上升时间下降时间	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分输出电压	VOD1, VOD2	0.247?0.454V
差分输出误差	⊿VOD	50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜]
补偿电压	VOS	1.125?1.375V
补偿电压误差	⊿VOS	50mV
交叉点电压	Vcr	-
OE端子0电平输入电压	VIL	VCC×0.3 max.
OE端子1电平输入电压	VIH	VCC×0.7 min.
输出禁用时间	tPLZ	200ns
输出使能时间	tPZL	2ms
周期抖动（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖动（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
总抖动（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)]
相位抖动	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时，指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形。特别是设置电抗，根据规范的负载阻抗。输出频率和输出电平，当测量输出频率或输出水平，石英晶体振荡器调整的输入阻抗，测量仪器的负载阻抗晶体振荡器。当输入阻抗的测量仪器，不同的负载阻抗的晶体振荡器，测量输出频率或输出水平高，阻抗阻抗测量可以忽略。

将电源连接到有源晶振指定的终端，确定正确的极性这目录所示。注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振，假如损坏那将不会工作。此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值，就很可能会导致石英晶振产品损坏。所以外接电压很重要，一定要确保使用正确的额定电压的振荡，但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振，或者起不到最佳精度。
加高晶振环保方针：

加高晶振所有的经营组织都将积极应用国际标准以及适用的法律法规。为促进合理有效的公共政策的制订实施加强战略联系。消除事故和环境方面的偶发事件，减少废物的产生和排放，有效的使用能源和各种自然资源，对紧急事件做好充分准备，以便及时做出反应。

HELE加高晶振公司将有效率的使用自然资源和能源，以便从源头减少废物产生和排放。我们将在关注于预防环境和安全事故，保护公众健康的同时，努力改进我们的操作。对不可再生的资源进行有效利用。减少废物的产生，对其排放的责任进行有效管理，有效地使用能源。通过设计工艺程序对员工进行培训保护环境以及人们的健康和安全。加高晶振,贴片晶振,HSO323SJ晶振.