SCO-2016晶振,SIWARD CRYSTAL,SMD晶振

希华晶振,贴片晶振,SCO-2016晶振,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度：最高0.8 mm,体积：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊）无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC（频率控制）功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.

有源晶振频率越高一般价格越高。但频率越高，频差越大，从综合角度考虑，一般工程师会选用频率低但稳定的晶振，自己做倍频电路。总之石英晶振是根据需要去选择合适的频率，并不是晶振频率越大就越好。要看具体需求。比如基站中一般用10MHz的恒温晶振（OCXO），因其有很好的频率稳定性，属于高端晶振。至于范围，晶振的频率做的太高的话，就会失去意义，因为有其他更好的晶振频率产品代替。产品频率范围是：25kHz-1.3G，基本上所有应用中的晶振都可以在产品中找到。

项目	符号	SCO-2016晶振规格说明	条件
输出频率范围	f₀	1.500∼54.000 MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.jyyshkj.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CCMax.	ST终端
输入电压	V_IL	20 % V_CCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。

请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。）请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。希华晶振,贴片晶振,SCO-2016晶振.

希华晶振环保方针：

希华晶振科技股份有限公司环境影响的最小化：遵照社会的期望，改进我们的环境行为，我们将通过有效利用森林、能源以及其它资源，减少各种形式的废物来实现这一承诺。环境管理体系：希华晶振公司在每一个运行部门，实施支持方针的系统的环境管理工具。我们将确保适当的人力资源和充分的财力保障。每年我们都将建立可测量的环境管理以及行为改进的目标和指标。

环境行为评价：评价我们运行以及员工的环境行为表现，确认支撑着本方针的成绩。我们将向我们的员工提供信息，以及能够将方针与各自工作职责完全结合的培训希华晶振承诺所有的运作皆遵守本地国家的法律，并符合国际上所共同认知环保与社会责任的标准，成为一个创造股东最大权益、照顾员工、善尽社会责任的好公司。