京瓷晶振,贴片晶振,CX1612DB晶振
频率:37400 ~ 60000KHz
尺寸:1.6*1.2mm
京瓷晶振,贴片晶振,CX1612DB晶振,贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话.
石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性。石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。
京瓷晶振规格 |
单位 |
CX1612DB晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
37400 ~ 60000KHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF ~ ∞ |
超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
使用每种产品时,请在石英晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。为了石英晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。
当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。京瓷晶振,贴片晶振,CX1612DB晶振.
京瓷晶振环保方针:
京瓷晶振的CSR活动基于以"作为人何谓正确"为判断基准的"京瓷哲学"。希望通过实践京瓷哲学,解决CSR课题,并构建与利益相关者相互信赖的关系,实现集团的可持续发展,同时为社会的健全发展做出贡献。京瓷晶振将“防止全球变暖、节能性”、“资源循环性”、“环保、产品安全性”这3个主题视为最重要的课题,在产品开发阶段就明确地设定了相应的环保理念。将对于防止全球变暖、节能、节省资源、削减有害物质做出积极贡献的产品定为“环保商品”,并针对所有产品设定了以环境友好理念为基础的评价基准。通过这些努力,在2015年度,环保商品的比例达到了99%。今后,京瓷晶振集团将继续开展相关活动,为提供更多环境友好型产品而努力。
此外,还开展了保护生物多样性等活动。京瓷晶振为区域发展所做的贡献受到了高度评价,连续6年荣获日本环境省颁发的"防止全球变暖活动环境大臣表彰奖",成为获奖次数最多的企业。京瓷晶振的各项能源、资源消耗指标和排放指标达到国内领先、国际先进水平。实施创新战略,提高自主创新能力,确保公司可持续发展。实施节约战略,提高建设节约环保型企业能力,确保实现节能环保规划目标。在业务活动中,努力节约资源并节省能源,致力于减少废弃物和再生资源的回收利用。在积极公开有关环境的信息的同时,通过支持环保活动,广泛地为社会作贡献。切实运行环境管理系统PDmCA(Plan-Do-multiple Check-Act),努力提高环境性能,不断改善运用系统。
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