DSO211AR晶振,石英振动子,石英晶体振荡器

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KDS晶振,贴片晶振,DSO211AR晶振

频率：0.4~80MHz

尺寸：2.0*1.6mm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点.

订购热线：0755-29952090

KDS晶振,贴片晶振,DSO211AR晶振,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域.

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强，贴片晶振频率更加集中，能控制在最小ppm之内。

项目	符号	DSO211AR晶振规格说明	条件
输出频率范围	f₀	0.4~80MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.jyyshkj.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

1：抗冲击

抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。KDS晶振,贴片晶振,DSO211AR晶振.