NAVH-6晶振,津缤有源晶振,SMD晶振

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津缤晶振,贴片晶振,NAVH-6晶振

频率：1.0~52MHz

尺寸：7.0*5.0mm

压控晶振（VCXO）压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用：SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅.

订购热线：0755-29952090

津缤晶振,贴片晶振,NAVH-6晶振,产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边，主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动了不稳定。

项目	符号	NAVH-6晶振规格说明	条件
输出频率范围	f₀	1.0~52MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	3.3 V to 5.0 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.jyyshkj.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

所有产品的共同点
1：抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。津缤晶振环保方针：

NSK晶振环保环境与发展对策：实行可持续发展战略。采取有效措施，防治工业污染。提高能源利用效率，改善能源结构。运用经济手段保护环境。大力推进科技进步，加强环境科学研究，积极发展环境保护产业。健全环境法规，强化环境管理。加强环境教育，不断提高环境意识。

建立环境管理系统，充分运用环境管理系统，设定环境目的和目标，定期修正，不断改善，努力预防环境污染。推进环保型业务，充分发挥综合实力，推进环保型业务，为减轻社会的环境负荷做出贡献。为构建循环型社会做出贡献，致力于减少废弃物及废弃物的再利用核再生循环，努力构建循环型社会。保护自然环境，充分关注自然生态等方面的环境保护，维持和保全生物多样性。缤晶振,贴片晶振,NAVH-6晶振.