Suntsu晶振,贴片晶振,SWS112晶振,SMT手表水晶振子
频率:32.768KHZ
尺寸:1.6mm x 1.0mm
小体积SMD时钟晶体谐振器,是贴片音叉晶体,千赫频率元件,应用于时钟模块,智能手机,全球定位系统,因产品本身体积小,SMD编带型,可应用于高性能自动贴片焊接,被广泛应用到各种小巧的便携式消费电子数码时间产品,环保性能符合ROHS/无铅标准.
Suntsu晶振,贴片晶振,SWS112晶振,SMT手表水晶振子,小体积SMD时钟晶体谐振器,是贴片音叉晶体,千赫频率元件,应用于时钟模块,智能手机,全球定位系统,因产品本身体积小,SMD编带型,可应用于高性能自动贴片焊接,被广泛应用到各种小巧的便携式消费电子数码时间产品,环保性能符合ROHS/无铅标准.
我司主要代理日本进口石英晶体谐振器,爱普生晶振,KDS晶体,西铁城晶振,精工晶体,日本进口的32.768KHz系列晶振产品多元化,外观尺寸有多项选择,并且支持无源以及有源晶振应用,有一个很棒的是几个知名晶振品牌之间产品可以交替替换,比如爱普生的FC-135,西铁城的CM315D,精工的SC320S,KDS的DST310S这四款的32.768K外观尺寸3.2*1.5*0.75mm均是一致,产品频率,精度,负载都可以达到相同,所以消费者在使用方面得到很到的保障,这几款产品本身使用无铅化,卷带SMD包装,产品一般应用在智能手机,控制模组,GPS导航模块,小型蓝牙对接产品等设备。Suntsu晶振,贴片晶振,SWS112晶振,SMT手表水晶振子
Suntsu晶振规格 |
单位 |
SWS112晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
0.5µW |
推荐:1µW |
频率公差 |
f_— l |
±20ppm |
+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,http://www.jyyshkj.com/ |
频率温度特征 |
f_tem |
-0.034±0.008ppm |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
12.5pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
无铅焊料回流曲线:(所有无铅部件向后兼容240C回流焊工艺)Suntsu晶振,贴片晶振,SWS112晶振,SMT手表水晶振子
环境指标
晶振使用说明
支架:一个箱体,内装一块薄薄的石英晶体或带有真空蒸发金属电极的晶体条和用于连接的端子。
频率:每秒输出波形的周期数。频率单位是每秒周期数,或赫兹,缩写为Hz。
基本模式:水晶振子的主要模式。
Overtone模式:根据指定的振荡模式分配给奇数的频率。标准的第三种泛音模式,其次是第五,第七,第九等。超越第九种泛音是不切实际的。这些频率并不完全是基频的三倍,五倍,七倍或九倍。
频率容差:室温下与标称频率的允许偏差。频率容差以百分比表示,典型值为±0.005%或百万分率(ppm),±50ppm。
等效串联电阻:石英晶振在工作谐振电路中表现出的阻抗值。
驱动电平:电路中晶体的功耗量。驱动电平以毫瓦或微瓦表示。过高的驱动电平会导致长期的频率漂移或晶体破裂。
老化:相对频率在一段时间内发生变化。这种频率变化率通常是指数性的。通常情况下,老化在头30天内计算,并计算长期(一年或十年)。最高的老化率在手术的第一周内发生,之后缓慢下降。
频率稳定度:与指定温度范围内(即0至+ 70°C)25°C时的测量频率相比,最大允许频率偏差。
并联电容:并联电容(CO)是晶体端子之间的电容。它随封装而变化,通常它在SMD中较小(典型值为4pF),在含铅晶体中为6pF。
杂散:通常在工作模式之上的不需要的共振,以dB最大值指定。或ESR的次数。频率范围必须指定。例如,在F0±200kHz的频率窗口中,杂散响应应至少为6dB或2.5×R。
振动模式:石英晶体的振动模式随晶体切割而变化,例如AT切割和BT切割的厚度剪切,或音叉晶体的弯曲模式(+ 5oX)切割,或CT,DT切割的面切模式。最流行的切割是AT切割,它可以在宽广的温度变化范围内提供对称的频移。
工作温度范围:晶体单元在特定条件下工作的温度范围。
负载电容:负载电容(CL)是32.768K有源振荡器对两个晶体端子的总电容量。当晶体在并联模式下使用时,需要指定负载电容。Suntsu晶振,贴片晶振,SWS112晶振,SMT手表水晶振子
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