OW-M晶振,5032尺寸晶振,OSC晶振

泰艺晶振,贴片晶振,OW-M晶振,贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器和普通的石英晶体谐振器的中间领域的一种性价比较出色的产品.石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶振晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。

从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶振的等效电阻等更接近理论值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术：有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外，还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性，必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	10 ~ 250MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.jyyshkj.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CCMax.	ST终端
输入电压	V_IL	20 % V_CCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

OW-M 5032

将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。晶振产品使用每种产品时,请在石英晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。

负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时，指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形。特别是设置电抗，根据规范的负载阻抗。输出频率和输出电平，当测量输出频率或输出水平，晶体振荡器调整的输入阻抗，测量仪器的负载阻抗晶体振荡器。当输入阻抗的测量仪器，不同的负载阻抗的晶体振荡器，测量输出频率或输出水平高，阻抗阻抗测量可以忽略。 泰艺晶振,贴片晶振,OW-M晶振.

泰艺晶振环保方针：