KC7050P_L2晶振,KC7050P_L3晶振,石英晶体振荡器

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京瓷晶振,贴片晶振,KC7050P_L2晶振,KC7050P_L3晶振

频率：25~175MHz

尺寸：7.0*5.0mm

产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

订购热线：0755-29952090

京瓷晶振,贴片晶振,KC7050P_L2晶振,KC7050P_L3晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

有源晶振频率越高一般价格越高。但频率越高，频差越大，从综合角度考虑，一般工程师会选用频率低但稳定的晶振，自己做倍频电路。总之石英晶振是根据需要去选择合适的频率，并不是晶振频率越大就越好。要看具体需求。比如基站中一般用10MHz的恒温晶振（OCXO），因其有很好的频率稳定性，属于高端晶振。至于范围，晶振的频率做的太高的话，就会失去意义，因为有其他更好的晶振频率产品代替。产品频率范围是：25kHz-1.3G，基本上所有应用中的晶振都可以在产品中找到。

型号	符号	KC7050P_L2
输出规格	-	LVDS
输出频率范围	fo	25?175MHz
电源电压	VCC	+2.5V/+3.3V
频率公差（含常温偏差）	f_tol	±50×10-6 max., ±100×10-6 max.
保存温度范围	T_stg	-55?+125℃
运行温度范围	T_use	-40?+105℃
消耗电流	ICC	20mA max.
待机时电流（＃1引脚"L"）	I_std	10μA max.
输出负载	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形对称	SYM	45?55% [at outputs cross point]
0电平电压	VOL	-
1电平电压	VOH	-
上升时间下降时间	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分输出电压	VOD1, VOD2	0.247?0.454V
差分输出误差	⊿VOD	50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜]
补偿电压	VOS	1.125?1.375V
补偿电压误差	⊿VOS	50mV
交叉点电压	Vcr	-
OE端子0电平输入电压	VIL	VCC×0.3 max.
OE端子1电平输入电压	VIH	VCC×0.7 min.
输出禁用时间	tPLZ	200ns
输出使能时间	tPZL	2ms
周期抖动（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖动（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
总抖动（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)]
相位抖动	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

型号	符号	KC7050P_L3
输出规格	-	LVDS
输出频率范围	fo	25?175MHz
电源电压	VCC	+2.5V/+3.3V
频率公差（含常温偏差）	f_tol	±50×10-6 max., ±100×10-6 max.
保存温度范围	T_stg	-55?+125℃
运行温度范围	T_use	-40?+105℃
消耗电流	ICC	20mA max.
待机时电流（＃1引脚"L"）	I_std	10μA max.
输出负载	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形对称	SYM	45?55% [at outputs cross point]
0电平电压	VOL	-
1电平电压	VOH	-
上升时间下降时间	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分输出电压	VOD1, VOD2	0.247?0.454V
差分输出误差	⊿VOD	50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜]
补偿电压	VOS	1.125?1.375V
补偿电压误差	⊿VOS	50mV
交叉点电压	Vcr	-
OE端子0电平输入电压	VIL	VCC×0.3 max.
OE端子1电平输入电压	VIH	VCC×0.7 min.
输出禁用时间	tPLZ	200ns
输出使能时间	tPZL	2ms
周期抖动（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖动（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
总抖动（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)]
相位抖动	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

所有产品的共同点
1：抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。京瓷晶振环保方针：

京瓷晶振集团希望销售的所有产品都能为地球环保做贡献，因此致力于开发环境友好型产品。为进行环境友好型产品的设计，京瓷晶振明确了“环境友好理念”。将对于防止全球变暖、节能、节省资源、削减有害物质做出积极贡献的产品定为“环保商品”，并针对所有产品设定了以环境友好理念为基础的评价基准。通过这些努力，在2015年度，环保商品的比例达到了99%。今后，京瓷晶振集团将继续开展相关活动，为提供更多环境友好型产品而努力。

京瓷晶振全体员工都积极地投身环保活动,希望能够在兼顾环保性和经济性的同时,实现可持续发展。尤其是在节能、温室效应对策方面,引进节能设备、安装太阳能发电系统、实施墙面绿化等开展了一系列节能活动。京瓷晶振,贴片晶振,KC7050P_L2晶振,KC7050P_L3晶振.