ECS变频控制产品介绍

ECS变频控制产品介绍

频率控制是保持数字设备时钟和时序稳定性的过程。今天所有的数字电路都需要时钟来确保进程以特定的时间间隔发生。

20世纪70年代，推出了数字手表。该设计使用kHz手表晶体来保持计时，这是我们今天仍在使用的工艺。实时时钟(RTC)在大多数处理器中用于计时，在寄存器中用作计数器。振荡器提供RF信号，TCXOs用于双向通信设备，以提供清晰的通信。

音叉晶体

水晶包装一天比一天小。目前，ECS Inc. International提供1.2x1.0毫米和1.6x1.2毫米的包装尺寸。在全球范围内，最常见的晶体封装尺寸为3.2x2.5毫米。32.768K手表晶体也变得越来越小，最常见的尺寸为3.2x1.5毫米或1.2x1.0毫米。虽然较小封装尺寸的销量每年都在增长，但降低BOM成本的需求往往是最重要的。因此，像我们的CSM-7X (5PX)这样的HC-49 SM包装仍然是全球最畅销的。晶体最常用于处理器。它们需要PCB上的匹配电容来构成振荡器环路。

振荡器

振荡器也比以前更小了。我们看到ECS-1612MV等器件的销量有所上升，这是我们最小的1.6x1.2mm振荡器。在过去5年中，我们最受欢迎的振荡器封装是3.2x2.5mm和2.5x2.0mm贴片晶振。我们的MultiVoltTM振荡器基于石英，是首选的振荡器配置。MV振荡器提供32.768kHz、MHz振荡器和TCXOs。提供低抖动、严格容差、低电流和AEC-Q200选项。总的来说，MV振荡器比同类MEMS器件性能更好，成本更低。

TCXOs和OCXOs

TCXOs常见尺寸范围从2.0x1.6mm到7.0x5.0mm，是包括GPS在内的各种应用所必需的封装。根据模拟或数字应用，我们提供CMOS和限幅正弦波输出。multi volt tcxo正在迅速改进，可以考虑取代传统tcxo。OCXOs是一种振荡器，它有一个内部加热器和温度控制电路，以保持晶体内部处于“转折点”。OCXOs将提供更好的稳定性、抖动和相位噪声。OCXOs的设计和制造比其他振荡器更昂贵。

计时缩写词

赫兹–赫兹；每秒1个周期
kHz–千赫兹；每秒1000赫兹
MHz–兆赫兹；每秒100万赫兹
GHz–千兆赫兹；1000兆赫
mS–毫秒；千分之一秒
s——微秒；百万分之一秒
nS–纳秒；千分之一微秒
pS–皮秒；千分之一纳秒
fs–飞秒；1/1000皮秒

电子学中的常见频率

50赫兹——英国交流电源的频率
60赫兹——美国的交流电源频率。
32.768 kHz–实时时钟(RTC)的频率
13 MHz/26 MHz–GSM和LTE手机时钟频率石英晶振
13.56 MHz–RFID和NFC频率
900 MHz–普通移动GSM频率
1575.42 MHz–通用GPS频率
2450 MHz / 2.45 GHz至5000 MHz/5 GHz–普通Wi-Fi频率
RF–射频带宽通常为3 kHz至300 GHz

频率控制中的常用术语

石英——二氧化硅(SIO2)的单晶
标称频率–规定的中心频率
基本模式–晶体切割的主要频率
泛音(第三、第五、第七等。)–基频的整数倍
AT切割——最常见的水晶角度切割
石英坯–安装在支架上的成品水晶
晶体电极——空白两侧的电镀区域
TH晶体–通孔晶体
SMD晶体–表面贴装晶体
ESR–等效串联电阻
CL–负载电容

常见振荡器基础术语

32.768kHz–常见的手表频率
XO–晶体时钟振荡器
VCXO–压控晶体振荡器
TCXO–温度补偿晶体振荡器
VC-TCXO–压控温度补偿晶体振荡器
OCXO–恒温晶体振荡器
MultiVolt–multivoltm振荡器，包括32kHz、XOs和TCXO有源晶振
可编程–数字可编程振荡器
AEC-Q200–汽车级振荡器的认证

常见振荡器输出术语

TTL–晶体管-晶体管逻辑
使用5V电源的双极结和电阻构建的ASIS

LV CMOS/CMOS–低压互补金属氧化物半导体
集成电路中的一种低压CMOS技术；通常为3.3V，但JEDEC标准允许低至1.1V

LVDS–低压差分信号
可以在低功率点运行，并且可以以非常高的速度运行；通常采用2.5V电源，可用于要求<100MHz的应用

LV pecl–低电压发射耦合逻辑
差分信号系统，主要用于高速和时钟分配电路

HCSL–高速电流导引逻辑
差分逻辑输出产生0V和0.725V电源摆幅；用于低抖动和低EMI应用

削波正弦波
正弦波形式，其中上下峰值已被削波，超出放大器的能力，不需要。这导致失真的方波形式