由于VCXOs在数字数据传输中的应用越来越多，相位抖动(短期稳定性)已经成为一个重要的考虑因素。相位抖动提供了一种精确的方法来确定何时发生相变。
定义：以下定义将帮助您理解贴片振荡器性能和术语。
标称频率：晶体振荡器的中心或标称输出。
频率容差：室温下与标称频率的偏差，用百万分率(PPM)表示。(25摄氏度±5摄氏度)
频率范围：振荡器类型或型号可提供的频带。
频率稳定性：在25°C的温度窗口内，即0°C至+70°C，与测量频率相比的最大容许频率偏差，时钟振荡器的典型稳定性为0.01% ( 100PPM)。
工作温度：输出频率和其他电气、环境特性符合规格的温度范围。
老化：某段时间内的相对频率变化。时钟振荡器的典型老化时间为5PPM，最长超过1年。
储存温度：在不损坏或改变设备性能的情况下，安全储存设备的温度范围。
电源电压：相对于地，可安全施加于VCC端子的最大电压。
输入电压(VIN)：可以安全施加到振荡器任何输入端的最大电压。
输出高电压(VOH)：在适当负载下振荡器输出端的最小电压。
输出低电压(VIH)：振荡器输入端保证阈值触发的最大电压。
电源电流：相对于地流入Vcc端子的电流。通常，电源电流是在无负载的情况下测量的。
占空比的对称性：指定电平下输出波形的对称性(TTL为1.4V，HCMOS为1/2Vcc，ECL为1/2波形峰值电平)。
上升时间(TR)：在指定电平下测量的从低到高转换的波形上升时间(对于HCMOS、ECL为20%至80%，对于TTL为0.4V至2.4V)。
下降时间(TF)：从高到低转换的波形下降时间，在指定电平下测量(对于HCMOS、ECL为80%至20%，对于TTL为2.4V至0.4V)。
负载/扇出：不同系列的振荡器可以驱动的最大负载被定义为输出负载驱动能力。各系列晶体振荡器的负载驱动能力(扇出)是根据一个振荡器可以驱动的门电路数量来确定的。
抖动(短期稳定性)：振荡器输出的相位或频率调制。
HCMOS/TTL兼容：振荡器采用ACMOS逻辑设计，具有驱动TTL和HCMOS负载的能力，同时保持HCMOS的最低逻辑高电平。
三态使能：当输入保持开路或连接到逻辑“1”时，发生正常振荡。当输入接地(连接到逻辑“0”)时，输出处于高阻态。输入具有内部上拉电阻，因此允许输入保持开路。
输出逻辑：振荡器的输出旨在满足各种指定的逻辑，如TTL、HCMOS、ECL、正弦、限幅正弦(DC切割)。
谐波失真：由与目标信号频率相关的不想要的谐波频谱分量引起的非线性失真。每个谐波分量是电功率与期望信号输出电功率之比，用dbc表示，即-20 dBc。当需要干净且失真较小的信号时，谐波失真特性非常重要，尤其是在正弦输出中。
双路和多路输出：单个振荡器能够产生一个以上的信号。这些信号可能是相关的(通常是由单个晶体产生的信号的倍数或约数)。
启动时间：振荡器的启动时间定义为振荡器达到其额定RF输出幅度所需的时间。
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