ACT晶振,贴片晶振,2016H SMX‐4晶振,射频时钟晶体,2025石英晶振,2016晶振,1612贴片晶振系列,其产品晶体晶片采用了真空退火技术:高真空退火处理是消除在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,通过合理的真空退火技术可提高产品的主要参数的稳定性,提高产品的年老化特性。
智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
ACT晶振规格 |
单位 |
2016H SMX‐4晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
16.00MHz - 62.50MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
‐55°C - +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
‐40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
100µW |
推荐:1µW |
频率公差 |
f_— l |
±10.0ppm |
+25°C对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,http://www.jyyshkj.com/ |
频率温度特征 |
f_tem |
-0.034±0.008ppm |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8.0pF - 16.0pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±1× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
第二次振动测试产生的加速度为7.5 g rms,如MIL-STD 883F所定义的随机振动,它模拟恶劣的操作环境。结果以时域中的感应相位抖动的形式报告,通过在15Hz到10kHz的偏移频率上对感应相位噪声进行积分来计算。数据(见图8)显示了广泛的回应。ACTMMD MEMS振荡器胜过所有其他设备,表明它对随机振动相对不受影响。ACT晶振,贴片晶振,2016H SMX‐4晶振,射频时钟晶体
ACT MMD MEMS振荡器对冲击影响也不敏感,这是耐机械力的第三项测试。突然冲击往往会导致振荡器频率的瞬态偏差。ACTMMD测量了基于石英和MEMS的振荡器对加速度为500 g的1 ms半正弦波冲击脉冲的响应。图9中的结果显示,尽管大多数器件表现出显着的频率偏差,但ACT MMD MEMS的频率偏差小于1 ppm。
有关振荡器冲击和振动性能比较测试条件和实验结果的详细信息,请参见“MEMS和石英振荡器的冲击和振动性能比较”[3]。
可靠性
量化组件可靠性的一种方法是预测平均故障间隔时间(MTBF)。对于半导体元件而言,这与时间失效率(FIT)的倒数相反,表示为10亿个工作小时后的统计预期故障数。MTBF越高,设备的预期寿命越长,因此设备越可靠。FIT率较低表示预期故障数量少,可靠性高。
ACTMMD通过对振荡器进行长时间高温高压下的压力测试来计算FIT。强调成千上万个振荡器的累积测试时间超过两百万个设备小时不会导致故障。根据这些结果,ACTMMD的MEMS振荡器的计算可靠率小于1 FIT,相当于10亿小时的MTBF。有关计算FIT率和MTBF方法的详细信息,请参见“ACT MMD振荡器的可靠性计算”[4]。
图10包括来自不同制造商的振荡器的MTBF报告,显示ACTMMD的基于MEMS的振荡器比石英晶体振荡器更可靠。ACT晶振,贴片晶振,2016H SMX‐4晶振,射频时钟晶体
概要
为了真正理解设备功能,在实际条件下考虑进口时钟晶体振荡器性能非常重要。实际运行条件通常包括电源噪声,外部EMI,振动和冲击。在这些条件下进行测试证明了与竞争石英晶体和基于半导体的器件相比,ACTMMD MEMS振荡器的优势。ACTMMD在考虑的所有四个类别中均优于竞争对手。
电源噪声:比石英高7倍
对EMI噪声易感性:比竞争对手高出50倍
振动:比石英高40倍
可靠性:比石英高80倍
诸如外部噪声和振动的环境应力会对时钟设备的弹性,性能和可靠性产生不利影响。由ACTMMD生产的硅MEMS振荡器在面对典型的极具挑战性的环境条件下具有弹性,可保持相位噪声和抖动规范,并在各种操作环境中表现出长期可靠性。ACT晶振,贴片晶振,2016H SMX‐4晶振,射频时钟晶体