ACT晶振,752 SMX‐2晶振,24.576MHz晶振

ACT晶振,贴片晶振,752 SMX‐2,24.576MHz晶振,随着科技数码产品的小型化发展，晶体元件的尺寸也从最初的插件庞大体积演变成目前的多种规格SMD小尺寸趋势，目前晶体内部的石英晶片已经达到了+-0.002mm以内了，由于很多谐振器厂家在生产小尺寸时所产生的问题，晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动，面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强，从而造成如若晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致晶片不能正常工作，在随着长时间的研究目前小尺寸的晶体已完全走入了成熟的阶段。

那么为什么越来越多的晶体企业都着手向汽车电子市场进军呢，然而汽车电子的要求也比科技数码产品高的多，特别是耐温这块，都有一定的要求值，比如：3225mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.ACT晶振,贴片晶振,752 SMX‐2,24.576MHz晶振

ACT晶振规格	单位	752 SMX‐2晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	6.0MHz - 125.0MHz	标准频率
储存温度	T_stg	‐40°C ~ +85°C	裸存
工作温度	T_use	0°C ~ +50°C to ‐40°C ~ +85°C	标准温度
激励功率	DL	300µW	推荐:1µW
频率公差	f_— l	±10.0ppm - ±50.0ppm	+25°C对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,http://www.jyyshkj.com/
频率温度特征	f_tem	-0.034±0.008ppm	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8.0pF - 30.0pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5× 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

752-SMX-2 7050

CMOS，ACT晶振,贴片晶振,752 SMX‐2,24.576MHz晶振

上升和下降时间CMOS技术的上升和下降时间取决于其速度（CMOS，HCMOS，ACMOS，BICMOS），电源电压，负载电容和负载配置。CMOS 40000系列的典型上升和下降时间为30ns，HCMOS为6ns，而ACMOS（HCMOS，TTL兼容）为3 ns（最大值）。典型的上升和下降时间是在其波形水平的10％到90％之间测量的。（见图7）

ACMOS输出终端技术

由于ACMOS（HCMOS / TTL兼容）器件的快速转换时间，在测试或测量电气性能特性时必须使用正确的终端技术。终止通常用于解决电压反射问题，这主要导致时钟波形中的步骤以及过冲和下冲。这可能导致数据错误计时，以及更高的EMI和系统噪声。

由于PC板上迹线的长度及其负载配置，终端也是必需的。终止时钟走线有三种通用方法，一种是将器件的输出阻抗与线路阻抗匹配的过程：

方法1：串联终端（图9）在串联终端中，阻尼电阻靠近时钟信号源放置。R的值必须满足以下要求：Rs≥ZT - Ro

方法2：上拉/下拉电阻（图10）在上拉/下拉端接时，组合的戴维南等效值等于迹线的特性阻抗。这可能是最干净的，并且不会导致反射，也不会降低EMI。RT?ZT，ACT晶振,贴片晶振,752 SMX‐2,24.576MHz晶振我们不仅仅是频率控制，ACT晶振,贴片晶振,752 SMX‐2,24.576MHz晶振