ACT晶振,2205 SMX‐4晶振,2.5*2.0谐振器厂家

ACT晶振,贴片晶振,2205 SMX‐4晶振,2.5*2.0谐振器厂家,贴片石英晶振2520晶振系列，晶体内部采用了真空封装技术，是指在真空封装区域内进行封装。

1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；

2.使组件在真空下电阻减小；

3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

ACT晶振规格	单位	2205 SMX‐4晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	16.00MHz - 62.50MHz	标准频率
储存温度	T_stg	‐55°C - +125°C	裸存
工作温度	T_use	‐20°C - +70°C, ‐30°C - +85°C, ‐40°C -+85°C	标准温度
激励功率	DL	100µW	推荐:1µW
频率公差	f_— l	±10.0ppm - ±50.0ppm	+25°C对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,http://www.jyyshkj.com/
频率温度特征	f_tem	-0.034±0.008ppm	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8.0pF - 16.0pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±2× 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

2205-SMX-4 2520

2.石英晶体振荡器的最佳设计和布局实践，ACT晶振,贴片晶振,2205 SMX‐4晶振,2.5*2.0谐振器厂家

介绍

正确的去耦，旁路和电源噪声降低在许多应用中非常重要，以确保振荡器的最佳性能。一种常见的策略是将电容器放置在印刷电路板（PCB）上的高速器件附近。这种电容器有两个重要功能：

为组件提供瞬时电流

减少通过系统的噪音传播

将电源噪声分流至GND以下各节描述单端和差分器件的去耦，旁路，噪声抑制和电源条件建议。

解耦

诸如时钟振荡器之类的快速开关器件对电源提出了很高的要求。高时钟速率加上快速上升时间（通常在1 ns范围内）使电源很难及时获得所需电流。结果，器件的电源电压会下降。为确保器件始终提供足够的电荷量，需要安装去耦电容器，以充当本地储存器。

建议在振荡器的VDD引脚和接地层之间为单端和差分晶振器件使用0.1uF陶瓷去耦电容。图1和图2显示了具有0603尺寸，0.1uF去耦电容C的4引脚振荡器的示例布局。图1和图2所示的所有迹线都需要用阻焊层覆盖。时钟的引脚1可用于支持输出使能，待机，扩展禁用或VCMO控制等功能。ACT晶振,贴片晶振,2205 SMX‐4晶振,2.5*2.0谐振器厂家

通过传递

凭借当今高速处理器和数据速率，系统中存在相当大的噪音。由时钟晶体振荡器产生的接近方波的波形包含单位的基本频率以及信号的高次谐波分量。为了限制通过系统传播的噪声量，需要旁路电容来提供低阻抗路径以将瞬态能量分流到地。

在大多数应用中，0.1uF去耦电容为所有ACT MMD器件提供了足够的旁路能力。不需要额外的旁路电容器。

用户可以考虑使用额外的1nF或10nF旁路用于ACT MMD振荡器，差分输出工作在高频率（150 MHz以上），以抑制电源网络中较高的时钟谐波。

电源噪声降低

在大多数应用中，VDD和GND之间的单个0.1μF电容可分流GND上电源可能存在的大部分噪声。ACT MMD器件使用内部稳压器来进一步降低振荡器输出抖动的影响，用户可以考虑RC或LC电源滤波策略。ACT MMD建议在高速应用中使用这种过滤，例如波特率高于6Gbps的串行接口（例如8.5Gbps光纤通道和串行10Gbit以太网）。ACT晶振,贴片晶振,2205 SMX‐4晶振,2.5*2.0谐振器厂家